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當前位置:首頁   >  產(chǎn)品中心  >  碳材料  >  石墨烯薄膜  >  1*1'' 單層二氧化硅基底石墨烯

二氧化硅基底石墨烯

簡要描述:二氧化硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

  • 產(chǎn)品型號:1*1'' 單層
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-06-03
  • 訪  問  量:1025

詳細介紹

二氧化硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

二氧化硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
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定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
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1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
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